如今，對(duì)于電子產(chǎn)品市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，越來(lái)越多的技術(shù)創(chuàng)新需要相應(yīng)的技術(shù)支持。比如電腦中的板卡雖然經(jīng)歷了技術(shù)創(chuàng)新，但如果焊接技術(shù)不穩(wěn)定，對(duì)于電腦整體來(lái)說(shuō)是不可估量的損失。真空回流焊接技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，焊接效果好，非常穩(wěn)定。我給大家簡(jiǎn)單說(shuō)一下真空焊接技術(shù)。
共晶焊接具有導(dǎo)熱率高、電阻小、傳熱快、可靠性強(qiáng)、粘接后剪切力大的優(yōu)點(diǎn)，適用于芯片與基板、基板與管殼在高頻大功率設(shè)備中的互聯(lián)。對(duì)于散熱要求較高的功率設(shè)備，必須采用共晶焊接。共晶焊接利用共晶合金的特性來(lái)完成焊接過(guò)程。
共晶合金具有以下特點(diǎn)：
IGBT端子焊接機(jī)，熔點(diǎn)低于純組元熔點(diǎn)，熔化工藝簡(jiǎn)化；
共晶合金比純金屬具有更好的流動(dòng)性，在凝固過(guò)程中可以防止阻礙液體流動(dòng)的枝晶形成，從而提高鑄造性能；
在沒(méi)有凝固溫度范圍的情況下，恒溫轉(zhuǎn)換減少了鑄造缺陷，例如偏聚和縮孔。
共晶凝固可以獲得多種形式，尤其是規(guī)則排列的層狀或桿狀共晶組織。原位復(fù)合材料共晶是指共晶焊料在相對(duì)較低的溫度下熔合的現(xiàn)象。共晶合金直接從固體變成液體，不經(jīng)過(guò)塑性階段。其熔化溫度稱(chēng)為共晶溫度。
關(guān)于共晶焊接的工藝是采用真空。／可控氣氛共晶爐設(shè)備實(shí)現(xiàn)。使用真空／在芯片共晶焊中，可控氣氛共晶爐需要注意以下問(wèn)題：
焊料的選用
焊接材料是共晶焊接的關(guān)鍵因素。AuGe等多種合金可用作焊接材料。、AuSn、AuSi、Snln、SnAg、SnBi等。，各種焊接材料適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)合，因?yàn)樗鼈兏髯缘奶攸c(diǎn)。例如，含銀的焊接材料SnAg很容易與鍍層含銀的端面接合，含金量高的合金焊接材料很容易與鍍層含金量高的端面接合。
一般共晶爐設(shè)定的焊接溫度根據(jù)焊件的熱容量大小而高于焊料合金的共晶溫度30?！?0℃。芯片耐受溫度和焊接材料的共晶溫度也是共晶時(shí)應(yīng)該注意的問(wèn)題。如果焊接材料的共晶溫度過(guò)高，會(huì)影響芯片材料的物理化學(xué)性質(zhì)，使芯片失效。因此，焊接材料的選擇應(yīng)考慮涂層的成分和焊接零件的耐受溫度。此外，如果焊接材料儲(chǔ)存時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，表面的氧化層會(huì)過(guò)厚。由于焊接過(guò)程中沒(méi)有人工干預(yù)，很難去除氧化層，焊接材料熔化后留下的氧化膜焊接后會(huì)形成空洞。在焊接過(guò)程中，在爐腔中加入少量氫氣，可以減少一些氧化物的恢復(fù)，但[敏感詞]使用。
溫控工藝曲線(xiàn)參數(shù)的確立，共晶焊接方法豐富，應(yīng)用于高頻、大功率電路或必須滿(mǎn)足宇航水平要求的電路。影響焊接效果的關(guān)鍵因素是焊接過(guò)程中的熱損耗、熱應(yīng)力濕度、顆粒和沖擊或振動(dòng)。熱損傷會(huì)影響薄膜設(shè)備的性能；濕度過(guò)高可能導(dǎo)致粘連、磨損和附著；無(wú)效的熱部件會(huì)影響熱傳導(dǎo)。共晶最常見(jiàn)的問(wèn)題是底座(HeaterBlock)溫度低于共晶溫度．在這種情況下，焊接材料仍然可以熔化，但芯片背面的鍍金層沒(méi)有足夠的溫度擴(kuò)散，操作者很容易誤以為焊接材料的熔化是共晶。另一方面，長(zhǎng)時(shí)間加熱底座會(huì)對(duì)電路金屬造成損壞，這表明控制共晶時(shí)的溫度和時(shí)間非常重要。由于上述原因，設(shè)置溫度曲線(xiàn)是共晶的重要因素。
由于共晶時(shí)所需的溫度較高，特別是使用AuGe焊料共晶時(shí)，對(duì)基板和薄膜電路的耐高溫性能提出了要求。要求電路能承受400℃的高溫，電阻和導(dǎo)電性能在這個(gè)溫度下不能改變。因此，共晶的一個(gè)關(guān)鍵因素是溫度。它不僅僅是達(dá)到一定的值溫度，而是經(jīng)過(guò)一個(gè)溫度曲線(xiàn)變化的過(guò)程。在溫度變化中，它還具有處理真空、充氣、排氣/水冷等任何隨機(jī)事件的能力。這些都是共晶爐設(shè)備的功能。